| Allgemein |
| Gerätetyp |
Solid State Drive - intern |
| Kapazität |
1 TB |
| Hardwareverschlüsselung |
Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus |
256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp |
TLC (Triple-Level Cell) |
| Formfaktor |
M.2 2280 |
| Schnittstelle |
PCIe 3.0 x4 (NVMe) |
| Puffergröße |
1 GB |
| Merkmale |
TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T. |
| Breite |
22.15 mm |
| Tiefe |
80.15 mm |
| Höhe |
2.38 mm |
| Gewicht |
8 g |
| Leistung |
| SSD-Leistung |
600 TB |
| Interner Datendurchsatz |
3500 MBps (lesen)/ 3300 MBps (Schreiben) |
| 4 KB Random Read |
19000 IOPS |
| 4 KB Random Write |
60000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Write |
550000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read |
600000 IOPS |
| Zuverlässigkeit |
| MTBF |
1,500,000 Stunden |
| Erweiterung und Konnektivität |
| Schnittstellen |
PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
| Kompatibles Schaltfeld |
M.2 2280 |
| Stromversorgung |
| Energieverbrauch |
6 Watt (Durchschnitt) ¦ 9 Watt (Maximum) ¦ 30 mW (Inaktivität Maximum) |
| Verschiedenes |
| Kennzeichnung |
IEEE 1667 |
| Herstellergarantie |
| Service und Support |
Begrenzte Garantie - 5 Jahre |
| Umgebungsbedingungen |
| Min Betriebstemperatur |
0 °C |
| Max. Betriebstemperatur |
70 °C |
| Schocktoleranz (in Betrieb) |
1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen |